- центры захвата носителей заряда
- <02> charge carrier traps
Русско-английский словарь Мартыневича. 2014.
Русско-английский словарь Мартыневича. 2014.
ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… … Физическая энциклопедия
ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ — дефекты крист. решётки, поглощающие свет в спектральной области, в к рой собств. поглощение кристалла отсутствует (см. СПЕКТРОСКОПИЯ КРИСТАЛЛОВ). Первоначально термин «Ц. о.» относился только к т. н.F центрам (от нем. Farbezentren), обнаруженным… … Физическая энциклопедия
Центры окраски — дефекты кристаллической решётки, поглощающие свет в спектральной области, в которой собственное поглощение кристалла отсутствует (см. Спектроскопия кристаллов). Первоначально термин «Ц. о.» относился только к т. н. F центрам (от нем.… … Большая советская энциклопедия
ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ — дефекты кристаллич. решетки, поглощающие свет в спектральной области, в к рой собств. поглощение кристалла отсутствует. Первоначально термин Ц. о. относился только к т. наз. F центрам, обнаруженным впервые в 30 х гг. 20 в. в кристаллах… … Химическая энциклопедия
РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ — дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к рых происходит рекомбинация электронно дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ — (горячие дырки), подвижные носители заряда в тв. проводнике, энергетич. распределение к рых заметно отличается (в сторону больших энергий) от равновесного распределения, определяемого Ферми Дирака статистикой или Больцмана статистикой. Носители… … Физическая энциклопедия
ФОТОПРОВОДИМОСТЬ — фоторезистивный эффект, увеличение электропроводности полупроводника под действием электромагн. излучения. Впервые Ф. наблюдалась в Se У. Смитом (США) в 1873. Обычно Ф. обусловлена увеличением концентрации подвижных носителей заряда под действием … Физическая энциклопедия
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
ГОЛДБЕРГЕРА - ТРИМЕНА СООТНОШЕНИЕ — формула, связывающая константу распада и пион нуклонную константу связи : mNgA=FpgpN , (*) где mN масса нуклона, g А=1,18 константа аксиально векторной связи в … Физическая энциклопедия